固态变压器(SST)又称电力电子变压器、能源路由器,由电力电子变换器搭配高频变压器组合而成,可实现高压交流到低压交 / 直流的电压变换,支持电能双向流动。对比传统工频变压器,SST 除电压变换、电气隔离基础功能外,还可输出多等级直流端口,适配交直流混合电网下各类直流用电设备,实现智能化、精细化电能调度管理。
一、基本原理分析
(一)传统变压器的基本原理

1.传统变压器的原理
传统变压器自电磁感应原理发现以来,已主导全球电网超过一个世纪。它基于电磁感应定律,通过硅钢片铁芯和铜绕组实现电压变换和电气隔离,工作频率为50Hz或60Hz,因此被称为“工频”变压器。这套技术路线的核心逻辑简洁可靠:交流电通入初级绕组产生交变磁场,经铁芯传递后,在次级绕组中感应出不同等级的电压,变比由初级与次级的绕组匝数比固定决定。
只需合理调整绕组的匝数,就能改变原、副边的电动势比例,从而实现电压的改变。举个例子:若初级线圈为500匝,次级线圈为250匝,当初级接入220V交流电时,次级输出的电压便是110V。变压器既可以降压,也能够升压。要是初级线圈的匝数比次级线圈少,那它就是升压变压器,能将低电压转换为高电压。
2.传统变压器的不足
随着新型电力系统的发展,传统变压器的局限性日益凸显。
物理空间:由于工作频率低,磁芯和绕组必须庞大笨重才能实现足够的磁通量,一台2.4MW的工频油浸变压器自重超过10吨,占地至少20平方米。在城市中心的智算中心、核心地段超充站等空间极其宝贵的场景中,其巨大的体积和重量成为难以承受的负担,甚至出现过机房建成,变压器无地安装的案例。
功能维度:传统变压器本质上是一个被动的电压变换装置,不具备有源滤波、无功补偿或动态电压调节等主动调控能力。然而,AI服务器运行会产生大量高频谐波,兆瓦级超充桩的启停则带来瞬时功率冲击,这些新型负荷特性会导致电网电压跌落、线路损耗激增,甚至引发电能质量事故,传统变压器对此无能为力。在10个1.2MW超充桩满功率运行时,传统变压器的故障率会成倍上升。
系统架构:AI算力集群和超充网络的核心诉求均为高压直流供电,传统变压器输出为低压交流,必须额外配置整流、滤波等多级变换装置,导致效率降低、链路损耗增加,端到端效率仅为88%至92%。AI算力密度呈指数增长,而传统变压器技术为线性演进,两者差距正急剧拉大。
(二)固态变压器的基本原理
1.固态变压器基本原理
固态变压器(Solid-StateTransformer,SST),又称电力电子变压器(Power Electronic Transformer,PET),是通过电力电子变换技术和高频电磁感应原理,实现电能变换、电气隔离与智能化管理的革命性电力设备。其核心思路在于“高频化”——传统变压器体积庞大的根本原因在于工作频率低,根据电磁感应定律,变压器铁芯截面积与工作频率成反比。SST先将工频交流电整流为直流,再通过电力电子开关转换为数千乃至数万赫兹的高频交流电,送入高频变压器进行能量传递。当工作频率从50Hz提升到10kHz以上时,变压器体积和重量可下降至传统方案的十分之一。
目前中高压应用中最成熟的SST拓扑是三级式结构:
第一级为输入级(AC/DC整流):将中高压工频交流电(如10kV/35kV,50Hz)整流为高压直流电,通常采用级联H桥(CHB)(由多个独立的H桥功率单元在交流侧串联组成,每个H桥单元拥有独立的直流母线。工作原理:通过控制各H桥单元的开关状态,使输出电压在交流侧叠加,形成多电平阶梯波形,可合成接近正弦的交流电压。)或模块化多电平换流器(MMC)(每相由上下两个桥臂组成,每个桥臂包含多个子模块(半桥或全桥结构),所有子模块共享一个公共直流母线。工作原理:通过精确控制子模块的投入和切除,阶梯式合成交流电压,桥臂电感用于抑制相内环流。)拓扑,通过多个低电压模块串联来承受高电压,同时实现单位功率因数和低谐波输入。
第二级为隔离级(DC/DC变换):这是SST实现电气隔离和电压变换的核心环节——直流电通过高频逆变器(如双有源桥DAB或LLC谐振变换器)转换为高频方波,经高频变压器耦合到副边,再整流回直流,工作频率通常在10kHz至20kHz区间。
第三级为输出级(DC/AC逆变):将隔离级输出的直流电逆变为所需的交流电(如380V/50Hz),可精确控制输出电压的幅值、频率和相位。对于直流输出型SST,第三级可省略;对于交直流混合端口,可在直流母线上直接引出直流端口。

与传统变压器不同,SST采用全数字控制,输入电压与输出电压之间没有固定的变比约束,在一定范围内可实现灵活动态调节,这使得SST成为一个高度可控的智能电力枢纽,而非被动的电压变换装置。

2.固态变压器解决哪些问题
在物理空间约束方面,SST的功率密度可达传统变压器的十倍以上。一台2.4MW的固态变压器可以集成进一个标准机柜,占地仅约5平方米,省出的地皮可以直接转化为充电车位或机柜位,在空间资源高度稀缺的城市场景中具有决定性优势。
在功能维度局限方面,SST本身具备有源滤波、无功补偿、谐波抑制、电压暂降补偿以及主动故障隔离等智能化功能,能够主动应对AI服务器的高频谐波干扰和超充桩的瞬时功率冲击,将电网运行的被动响应转化为主动治理。
在系统架构错配方面,SST可以直接将10kV中压交流电一步转换为750V或800V直流母线,光伏、储能、充电桩全部挂接在同一条直流母线上,彻底消除了传统方案中“直流变交流、经过工频变压器、再整流回直流”的多级冗余转换,端到端效率可提升至少3个百分点,从传统方案的88%-92%跃升至95%以上。
此外,SST还天然支持双向功率流动和V2G功能(车辆到电网),为电动汽车向电网送电提供了无需额外硬件的技术基础。

(三)精简总结
传统变压器:50Hz工频+硅钢片铁芯+铜绕组,只做电压变换,无控制能力。
固态变压器:中压交流(10kV/35kV)→高频整流→高频逆变(10kHz–100kHz)→高频隔离变压器→整流输出800VDC。
SST没有直接将50Hz工频电送入变压器,而是采用“先整流,再逆变”的步骤:
1.先把50Hz交流整流成直流:去掉了低频成分。
2.再将直流逆变成高频交流:通过电力电子开关(如SiC MOSFET),将直流电斩波成频率高达数千甚至数万赫兹(10kHz~100kHz)的高频交流电。
3.再送入变压器:这个高频变压器是真正进行电压变换和隔离的部件。
因为现在变压器工作在高频状态,根据上述原理,频率f提高了200倍(从50Hz到10kHz),在相同电压和匝数下,所需的铁芯截面积A就可以缩小为原来的1/200。
二、固态变压器的主要构成
1.功率半导体器件
功率半导体器件是SST的“心脏”,在整机成本中占比约40%,是决定SST性能水平的核心要素。在SST中,这些器件承担着高频开关的核心任务,其性能直接决定了整机的开关频率、功率密度和转换效率。
当前SST的主流技术路线已全面转向碳化硅(SiC)MOSFET,原因在于SiC器件具有开关速度快、耐压高(1.2kV至10kV级)、导通损耗低和耐高温等优异特性,能在20kHz至100kHz的开关频率下保持高效运行,较传统硅基IGBT效率高出2至3个百分点。2025年国产SiC自给率从10%跃升至28%,整机制造成本较2023年已下降约40%,6英寸SiC衬底价格从2024年的4000元以上降至约2500元,国产化替代正在加速推进。目前,10kV SiC MOSFET正在成为行业布局的热点方向——一旦10kV SiC MOSFET实现商用,SST可直接适配13.8kV甚至更高的电网电压,大幅减少器件级联数量,降低链路损耗和散热需求。
对于中低压场景,高压IGBT仍可作为经济型替代方案,国产化率已超50%。
SiC衬底主要企业有天岳先进、Wolfspeed(美)等,SiC全产业链有三安光电(国内),功率模块有斯达半导、士兰微、英飞凌(德)、意法半导体(意)、罗姆(日)、安森美(美)等。
2.高频磁性器件
高频磁性器件(主要包括高频隔离变压器和高频电感)是SST中最关键、技术难度最高的部件之一,成本占比约15%。与传统工频变压器使用的硅钢片不同,高频变压器必须采用纳米晶、非晶或铁氧体等低损耗软磁材料,这些材料的磁导率比普通硅钢提升约30%,高频下的涡流损耗则降低50%以上。高频变压器的工作频率高达数十kHz,电压波形为陡峭方波,dv/dt动辄十几kV/μs,给绝缘设计带来了前所未有的挑战。
在高频、高dv/dt的极端工况下,绝缘材料内部的微小气隙会持续发生局部放电,在材料内部缓慢生长出“电树枝”,最终导致击穿失效——这一问题在实验室短期测试中难以暴露,但挂网运行一两年后可能集中爆发。此外,高频电流的趋肤效应也迫使变压器绕组必须采用利兹线(数百根细漆包线绞合而成),绕制、焊接、端接工艺要求极高,工艺一致性管理难度大。高频变压器功率密度可达15W/cm³,体积仅为传统工频变压器的十分之一。
高频变压器/电感企业主要有京泉华、伊戈尔、可立克、特富特等,软磁材料关注企业主要有云路股份、龙磁科技、铂科新材等。
3.电容器与滤波器
电容器在SST中承担着滤波、储能和电压支撑等多重功能,成本占比约10%。主要类型包括薄膜电容(用于高压直流滤波)和铝电解电容(用于低压侧储能),滤波器的设计关乎SST输出电能质量,特别是在开关频率高达数十kHz的情况下,必须有效抑制高频纹波和开关谐波。随着SiC器件开关速度的进一步提升,电磁兼容(EMC)问题日益突出,滤波器的设计和布局成为影响整机可靠性的重要因素。
电容器在国内法拉电子、江海股份等企业已形成成熟供应体系,滤波器的供应商相对分散。
4.控制芯片与软件
控制系统是SST“智能化”的灵魂所在,成本占比约10%,是技术壁垒最高的环节之一。SST的控制系统需要同时完成高频开关驱动、模块均压、DAB移相调度、能量管理和构网控制等多重任务,时间尺度从微秒级到秒级跨越,复杂度远超传统电力电子设备。
硬件层面,主控芯片多采用德州仪器的DSP或赛灵思的FPGA,国内华为海思、紫光国微正在加速替代。但真正的壁垒在于控制算法和软件体系——DAB隔离级的移相控制需要在维持软开关的同时抑制环流,几十个模块串联的CHB级联结构需要在微秒级时间内实现动态均压,构网控制则需要模拟同步发电机的惯性和阻尼特性以支撑弱电网运行。
算法的壁垒在于它需要海量现场运行数据来迭代优化,实验室环境难以模拟真实电网中的谐波干扰、电压暂降和负载突变等复杂工况。
5.系统集成与制造
SST的系统集成涉及拓扑选型、结构设计、热管理、电磁兼容设计以及多学科的系统优化,成本占比约15%。在拓扑架构上,当前中压应用以三级式拓扑(AC-DC+DC-DC+DC-AC)为主流。在热管理上,随着功率密度大幅提升,传统的风冷方案已逐渐无法满足散热需求,液冷方案的渗透率约10%。在模块化设计上,N+X冗余架构正在成为行业标配——通过硬件备用模块和控制层面的毫秒级故障切除与系统重配,实现故障模块在线替换和系统降额运行。此外,标准化和接口规范化也是影响SST产业规模化的重要因素,目前行业正处在各家企业“各自为政”的阶段,统一标准的缺失是制约规模化推广的重要障碍。
3、应用场景
一、核心应用场景
当前固态变压器主要落地三大赛道:交直流混联配电网、电动汽车充电站、绿电直连场景,同时逐步向 AI 算力数据中心、轨道交通等领域拓展。
1. 交直流混联配电网
在新型电力系统建设背景下,分布式光伏、储能大量接入电网,配网面临电压越限、功率双向流动、消纳不足等难题。SST 作为柔性互联核心设备,可实现配网馈线柔性互联,治理高低电压越限、正反双向过载问题;可提升分布式新能源消纳能力 18% 以上,电动汽车接入承载能力提升 20%,降低交直流混合微网线路损耗最高 5%,强化配电网运行韧性。
2. 电动汽车充电站
面向 CCS、MCS 新一代大功率充电场景,充电型 SST 可以替代站内传统变压器与变流设备,搭建直挂超充矩阵,实现 “极全、极简、极速、极效” 的充电体验。
·极全:兼容光储充一体化,适配多种车型;
·极效:整机最高效率可达 97.5%,相较传统方案提升 5%;
·极速:支持 MW 级超充功率,可实现短时间长续航补能;
·极简:占地面积减少 15%,市电容量节省 20%,变换设备容量降低 38%,适配城市土地紧张的场站建设需求。
3. 绿电直连
绿电直连模式下,新能源通过专线点对点直供给终端用户,减少多级传输带来的电能损耗。以 SST 搭建中压直流电网主干网架,光伏、储能可直接通过 SST 完成全直流升压接入,面向制氢、电解、数据中心等大型直流负荷供电,降低用户对交流电网的依赖,实现绿色电力高效就地利用。
4、产业链结构分析
SST产业链呈"上游核心器件—中游整机制造—下游应用场景"的垂直架构,各环节发展成熟度差异显著。
固态变压器(SST)产业链结构全景图







1.1 上游:核心材料与元器件
上游是产业链附加值最高、技术壁垒最深的环节,主要包括宽禁带功率半导体(SiC/GaN)、高频磁性材料(非晶/纳米晶)、高频变压器、控制芯片(DSP/FPGA)、直流电容器及散热系统等。
宽禁带器件(SiC) :占SST整机成本30%-40%,是决定设备功率密度与转换效率的核心。当前高端器件仍部分依赖进口,国产替代正在加速,1700V/3300V SiC MOSFET是中压SST主流选型。
高频磁性材料:占整机成本15%-18%,纳米晶材料因其极低高频损耗和高饱和磁通密度,已成为中大功率SST高频变压器的首选磁芯。国内云路股份、安泰科技已实现规模化量产,技术接近国际先进水平。
控制芯片:DSP+FPGA异构架构成为趋势。高端产品仍高度依赖进口(AMD、英特尔),国内厂商产品主要集中在中低端场景,是三大核心材料中国产化程度最低的环节。
散热材料与系统:随着SST功率密度持续提升,液冷方案渗透率持续提升。飞荣达、德邦科技等国内企业在导热界面材料、液冷板领域加速攻坚。
上游供给格局特征:磁性材料已基本自主可控;SiC正加速追赶但高端仍部分依赖进口;控制芯片(特别是FPGA/DSP)是国产化攻坚战最艰巨的环节。
1.2 中游:整机制造与系统集成
中游是产业链的"价值中枢",涵盖SST整机设计、制造与系统解决方案提供。行业存在三类业态:
设备集成业态:采购标准化器件进行集成组装,研发投入低,利润空间有限,易陷入同质化竞争。
整机制造业态:掌握核心拓扑、控制算法与高频变压器设计能力,具备完整研发体系与技术壁垒,享有较强的品牌溢价与客户粘性。
系统解决方案业态:超越单一硬件销售,提供"SST设备+能源管理软件+微网控制"交钥匙工程,核心竞争力在于软件算法与系统集成能力,客户粘性最强。
中游竞争焦点集中于系统效率(当前头部企业已达98%-99%)、功率密度、可靠性验证与成本控制。头部企业正从"项目制硬件销售"向"标准模块+参考设计"的产品化销售、再向"硬件平价切入+软件订阅收费"的服务化模式演进。
1.3 下游:应用场景
SST下游涵盖AI数据中心(AIDC)、智能配电网、新能源并网、电动汽车超充站、轨道交通、零碳园区、军工特种等多元场景。其中,AI数据中心是当前确定性最高的核心增长极,新能源并网与配电网改造提供中长期存量替代空间,超充与轨道交通构成增量补充。
1.4 产业链协同与国产化进程
产业链上下游呈现"上游制约→中游承压→下游延迟"的风险传导特征。国产化进程分环节差异显著:整机环节已基本实现国产替代;高频磁性材料已基本自主可控;SiC器件环节替代加速但尚未完成;控制芯片国产化程度最低,替代难度最大。
整体判断,上游核心器件的国产化突破与成本下降是SST整机实现规模化放量的必要前提;下游应用场景的扩容速度与政策导向决定了SST的市场天花板。
固态变压器的产业链可以分为上游的核心原材料与器件、中游的整机制造,以及下游的多元应用场景。
5、主要企业
上游:核心材料与元器件 (成本核心,约占成本的70%以上)
上游是整个产业链的基石,技术壁垒高,价值量大,特别是以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体和高性能磁性材料 。

中游:设备制造与集成 (技术集成的关键环节)
中游环节负责将上游的元器件进行模块化设计与系统集成,是技术转化为产品的关键。

下游:多元化应用场景 (市场需求的驱动者)
下游应用场景的拓展,尤其是AI数据中心需求的爆发,是推动SST产业发展的核心动力。

综合自:材想社、变压器与成套视界等

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